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[周报全文]英特尔晶体管技术获突破

2007年02月05日 10:36:56 | 作者:佚名 | 来源:$page.getBroMedia() | 查看本文手机版

摘要:1月29日,英特尔在京公布45纳米技术的进度与研发细节。

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网界网消息(记者鲁媛媛报道)129,英特尔在京公布45纳米技术的进度与研发细节。 据介绍,由于在45纳米晶体管绝缘层和开关闸上取得重大突破,英特尔可顺利实现产品由65纳米向45纳米的过渡。由于采用了被称为high-k的新材料来制作晶体管闸极电介质(transistor gate dielectric),而晶体管闸极的电极也采用新的金属材料组合。即将问世的代号为“Penryn”的试产样品得以大幅降低漏电与提升性能。

[责任编辑:程永来 cheng_yonglai@cnw.com.cn]